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產(chan)品(pin)型號： WZPK-423U
所屬分(fen)類：鎧裝鉑電阻
產品時間：2017-11-02
簡要描述：WZPK-423U|鎧裝薄膜鉑熱電阻的詳細介紹 WZPK-423U|鎧裝薄膜鉑熱電(dian)阻(zu)熱電(dian)阻(zu)的(de)(de)工作(zuo)原理(li)：在溫度的(de)(de)作(zuo)用(yong)下，電(dian)阻(zu)絲的(de)(de)電(dian)阻(zu)隨(sui)之變(bian)化而變(bian)化。可用(yong)于(yu)測(ce)量 -200℃～﹢800℃范圍(wei)內的(de)(de)溫度。其優(you)點是：偏(pian)差極小。由于(yu)它的(de)(de)良好電(dian)輸出性能，熱電(dian)阻(zu)可為顯示(shi)儀(yi)(yi)、記錄儀(yi)(yi)、調節儀(yi)(yi)、掃描儀(yi)(yi)及電(dian)腦(nao)提供(gong)精確的(de)(de)輸入值。
WZPK-423U|鎧裝薄膜鉑(bo)(bo)熱電(dian)阻名稱 等(deng)級 α α 鉑(bo)(bo)電(dian)阻 A 0．003851 ±0.000006 B ±0.000012 銅電(dian)阻 0．004280 ±0.000020
WZPK-423U|鎧裝薄膜鉑熱電阻
的詳細(xi)介(jie)紹WZPK-423U|鎧(kai)裝薄膜鉑(bo)熱(re)電(dian)阻
| 熱(re)電(dian)阻(zu)的(de)(de)工(gong)作(zuo)原理：在溫度的(de)(de)作(zuo)用下，電(dian)阻(zu)絲的(de)(de)電(dian)阻(zu)隨之(zhi)變化(hua)而變化(hua)。可(ke)用于測(ce)量 -200℃～﹢800℃范圍(wei)內的(de)(de)溫度。其優點是(shi)：偏(pian)差極小。由于它(ta)的(de)(de)良好(hao)電(dian)輸出性能，熱(re)電(dian)阻(zu)可(ke)為顯示儀、記錄儀、調節儀、掃描儀及電(dian)腦提供精(jing)確的(de)(de)輸入值。 |
| WZPK423U鎧裝薄膜鉑熱電阻，WZPK-423U,的詳細資料： |
1． 測溫(wen)范圍、允差
2.熱響(xiang)應(ying)時間 在溫度出現(xian)階躍變化(hua)時,熱電(dian)阻的(de)電(dian)阻值變(bian)化至相當(dang)于(yu)該階躍(yue)變(bian)化的(de)50%，所需要的時(shi)間稱為熱響應時(shi)間，用t0.5表示。 3.自熱影響 鉑電(dian)(dian)阻允許通過電(dian)(dian)流1mA，zui大測量電流為5mA，由此(ci)產(chan)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫(wen)度系數（α）與標(biao)稱值的(de)偏差
5.絕緣電阻 當(dang)周圍空氣溫(wen)度15-35℃和(he)相對濕度小于80%時熱電(dian)阻絕緣電(dian)阻不(bu)小于100MΩ。
薄(bo)膜鉑(bo)電阻元件 一、 ; ; 概述 CRZ系列薄膜鉑(bo)熱電阻(zu)元(yuan)件是把(ba)金屬鉑(bo)研(yan)制(zhi)(zhi)成(cheng)粉(fen)漿(jiang)，采用*激(ji)光(guang)噴濺薄膜技(ji)術及光(guang)刻法(fa)和(he)干燥蝕刻法(fa)把(ba)附(fu)著在陶瓷基(ji)片上(shang)形成(cheng)膜，引線經過(guo)激(ji)光(guang)調阻(zu)制(zhi)(zhi)成(cheng)，*自動的(de)生產程序保證(zheng)了產品*符合(he)IEC標準。 二、 技術特點(dian) 1． 薄(bo)膜鉑(bo)熱電阻元件用陶瓷和鉑(bo)制(zhi)成，因而在高溫下能夠保持優(you)良的穩定性，適合在-50～400℃的(de)溫度下使(shi)用(yong)。 2． ; 鉑(bo)薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層(ceng)，因而它具有(you)良好的(de)防震和防沖擊性(xing)能(neng)。 3． ; 薄膜(mo)表面蓋以陶瓷，因而元件(jian)能夠承(cheng)受(shou)高壓，并(bing)具有良好的絕緣(yuan)性。 4． 引(yin)線(xian)材料為(wei)鎳(nie)鍍金和純鈀(ba)兩種(zhong)。 5． 規格：
6． 精(jing)度(du)：
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